我们的ESD静电抑制器的ESD耐受性采用符合国际电工委员会（IEC）《IEC 61000-4-2：ESD抗扰度测试》的方式进行测定。我们的ESD静电抑制器可保证±8kV至±30kV的EDS耐受性。通常，总电容CT较低的ESD静电抑制器，其EDS耐受性也较低。
我们的ESD静电抑制器不会因低于保证的EDS耐受性水平的ESD事件而发生性能下降，即使多次暴露于ESD事件。
根据《IEC 61000-4-5：浪涌抗扰度测试》，某些ESD静电抑制器在峰值脉冲电流方面的性能有保证。
以下产品列表显示了根据IEC标准保证的EDS耐受性：
产品列表
标准 产品清单中的特性t
IEC 61000-4-2 ：静电放电电压
IEC61000-4-5 ：峰值脉冲电流
关于保证的EDS耐受性，请参阅每种ESD静电抑制器的数据表。
是否需使用双向ESD静电抑制器来保护正负ESD事件？
单向和双向ESD静电抑制器的静电特性如下所示。
与典型的齐纳二极管一样，单向ESD静电抑制器在反向偏置条件下使用。当受保护的IC正常工作时，单向ESD静电抑制器反向偏置，可施加于受保护线路的信号范围为0V至VRWM。然而，ESD静电抑制器同时吸收正负ESD事件。
因此，当在正常操作期间仅对要保护的信号线施加正电压时，可使用单向ESD静电抑制器来吸收正负ESD事件。
当向需受保护的信号线同时施加正负电压时，需使用双向ESD静电抑制器。
更多信息
可通过以下方式查看更多ESD静电抑制器产品线信息：https://semiware.com/product-line/esd-protection-diodes/, 如果您有技术问题，请联系我们的技术支持工程师：fae01@semiware.com。
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