SMCJ26A-TVS瞬态抑制二极管-SMCJ26A规格书-SMCJ26A参数表

产品概述 SMCJ26A 通用TVS二极管 SMCJ26A系列TVS瞬态抑制二极管产品,具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能 ...

SMCJ18A-TVS瞬态抑制二极管-SMCJ18A规格书-SMCJ18A参数表

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SMCJ20A-TVS瞬态抑制二极管-SMCJ20A规格书-SMCJ20A参数表

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SMCJ17A-TVS瞬态抑制二极管-SMCJ17A规格书-SMCJ17A参数表

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SMCJ16A-TVS瞬态抑制二极管-SMCJ16A规格书-SMCJ16A参数表

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SMCJ28A-TVS瞬态抑制二极管-SMCJ28A规格书-SMCJ28A参数表

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SMCJ30A-TVS瞬态抑制二极管-SMCJ30A规格书-SMCJ30A参数表

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SMCJ33A-TVS瞬态抑制二极管-SMCJ33A规格书-SMCJ33A参数表

产品概述 SMCJ33A 通用TVS二极管 SMCJ33A系列TVS瞬态抑制二极管产品,具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能 ...

SNM005N04FH系列N沟道MOSFET参数特性及数据手册

SNM005N04FH通常用于开关电源、电机驱动、电流调节等功率管理应用。MOSFET是现代电子设备中常见的开关元件,特别是在高效能、高频率的电路中。 ...

SNM20N65C系列N沟道增强型功率场效应晶体管参数特性及数据手册

概述 SNM20N65C 是一款功率MOSFET,具有650V的耐压,采用N沟道结构。它常用于开关电源、电机控制、以及高效能电力转换应用。其低导通电阻( ...
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