产品概述

SE10F10B3.3MA系列静电抑制器产品,采用DFN1006-2L标准封装,具有漏电流小,反应速度快(nS级),可靠性高等特性,被广泛应用于HDMI,USB,VGA等高速信号传输接口ESD静电防护,保护每个输入/输出引脚,为可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供高级别保护。

产品参数图

SE10F10B3.3MA系列单路和多路ESD静电抑制器产品关键参数及其应用特性-赛米微尔-Semiware-博客

关键特性(典型值)

  • 封装形式:DFN1006-2L(即常见的 1.0mm × 0.6mm 规格),厚度极薄,适合空间受限的便携设备。
  • 工作电压(VRWM):3.3V(型号中的“3.3MA”通常代表最大反向工作电压为 3.3V)。
  • 击穿电压(VBR):一般大于4V 之间(具体需参考规格书)。
  • 钳位电压(VC):在承受 IEC 61000-4-2 等级静电冲击时,可将电压钳位在较低水平(通常21V 左右,取决于峰值电流)。
  • 电容值(CJ):属于低电容系列,典型值通常在 0.35pF 以下(或更低),适合对信号完整性要求较高的接口。
  • 峰值脉冲功率(PPP):通常可承受 100W 至 200W 左右的 8/20μs 浪涌脉冲。
  • ESD 防护等级:符合 IEC 61000-4-2 标准,通常支持 ±23kV(接触放电)及 ±30kV(空气放电)。

产品数据手册

应用领域

该系列产品主要应用于需要高静电防护能力且信号速率较高的场景:

  • 接口保护:USB 2.0 / 3.0、HDMI、VGA、DVI 等高速信号端口。
  • 便携设备:智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备。
  • 通用 I/O:按键、触控面板、SIM卡/TF卡接口的静电防护。
  • 工业控制:PLC、仪器仪表中低电压信号线的瞬态保护。

技术优势

  • 超小尺寸:DFN1006-2L 封装适合高密度PCB布局,可紧贴接口放置,最大限度缩短引线电感,提升保护效果。
  • 双向保护:单颗器件即可实现对信号线的正负双向静电防护,无需考虑极性。
  • 低漏电流:在额定工作电压下漏电流极小(通常 < 1μA),有效降低设备功耗。
  • 快速响应:响应时间可达纳秒甚至皮秒级,能在静电脉冲到达敏感芯片前迅速动作。

更多信息

SE10F10B3.3MA系列静电抑制器产品,采用DFN1006-2L封装,每盘10,000个。了解更多产品详情,请访问https://semiware.com/esd-diodes/se10f10b3-3ma/现提供样品,您可向全球各地的Semiware 的授权经销商索取样品。

关于Semiware

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