浪涌防护 21
气体放电管和半导体放电管在手持数据采集器中RS485接口浪涌保护中的应用
对数据采集器上的RS485通信口做浪涌防护，后级防护可选用半导体放电管，容值较低，远距离信号传输也不会受影响。浪涌防护等级较高，可过8/20uS浪涌百安培以上。
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SE3D200U7.0A系列ESD静电抑制器（TVS阵列）电性参数及数据手册
概述
SE3D200U7.0A系列ESD静电抑制器产品，采用SOD-323表面贴装工艺，产品具有漏电小，反应速度快，可靠性高等特性，可同时保护1路电源线
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Semiware推出SE16F15B15MA系列高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出SE16F15B15MA系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用DFN1610-2L表面贴装工艺，采用多路组合结构，极间电容低，产品具有漏
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Semiware推出SE55T10U3.3D系列静电抑制器(TVS二极管阵列）
日前，Semiware推出SE55T10U3.3D系列静电抑制器(TVS二极管阵列），产品采用SOT-553表面贴装工艺，具有漏电流小，反应速度快（nS级），
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安防系统的浪涌以及EMC静电防护详解
安防系统的浪涌防护
随着社会发展和科技进步，各行各业都大量的引进和使用先进的自动化设备、办公网络以及工业电视的监控系统，这些设备往往都富含大量高精密电子，部件集
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Semiware推出SE06F10B18LA系列高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出se06f10b18la系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用dfn0603表面贴装工艺，产品具有漏电小，反应速度快，可靠性高等特性
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Semiware推出SE10F30U6.3A系列高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出se10f30u6.3a系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用dfn1006表面贴装工艺，产品具有漏电小，反应速度快，可靠性高等特性
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Semiware推出SE16F15B8.0MA系列高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出se16f15b8.0ma系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用dfn1610表面贴装工艺，采用多路组合结构，极间电容低，产品具有漏
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Semiware推出SE16F15B5.0MA系列高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出se16f15b5.0ma系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用dfn1610表面贴装工艺，采用多路组合结构，极间电容低，产品具有漏
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Semiware推出SE16F15B3.3MA系列高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出se16f15b3.3ma系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用dfn1610表面贴装工艺，采用多路组合结构，极间电容低，产品具有漏
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