随着系统复杂性的提高和灵敏度的不断提高，了解良好的ESD保护是什么样子以及如何选择适合系统及其应用的ESD保护器件至关重要。
电子系统正确运行是不够的，它必须在应用程序可能面临的所有条件下以安全的方式继续这样做。因此，必须格外小心，以保护系统免受ESD冲击的中断或损坏。
从系统的角度来看，我们可以通过仔细管理整个系统设计来帮助最大限度地减少任何潜在的ESD影响。例如，我们可以从确保将敏感和重要的电路放置在远离电路板周边开始。目标是使用最短的电气路径到保护器件，并避免寄生电感。由于输入的浪涌能量在保护器件中消散，因此将低电容ESD保护尽可能靠近外部I/O端口非常重要。
我们还希望保护装置在正常运行期间对系统有效不可见。应尽量减少数据通道带宽的劣化 – 眼图应保持打开状态。然而，在浪涌和ESD事件期间，保护器件需要立即做出反应，将危险的电流和电压尖峰分流到地。
如何保护设备 – 首要任务
了解罢工可能来自哪里只是一个开始。是来自人体接触（人体模型），其他设备（机器模型）还是来自正常使用的设备（带电设备模型）？回答这个问题将给出设备需要什么保护级别的想法。
下一个要问自己的问题是我们的目标是保护什么。接口特别容易受到ESD损坏和EMI干扰的影响，但对于大多数接口，外部ESD保护器件将提供良好的保护。相反，非常快的收发器SoC需要高度先进的ESD保护器件来实现目标IEC ESD鲁棒性。如今，像USB Type-C这样结合了电源和数据功能的接口，在选择保护时需要更加小心（因为我们还需要考虑数据线和电源线V之间的泄漏或短路情况。总线).
系统级鲁棒性 – 最薄弱的环节
我们经常听到系统级鲁棒性与单个组件的鲁棒性直接相关。在实践中，这取决于几个因素。最弱的系统相关设备（通常是SoC）的鲁棒性是关键。但保护器件的特性也是如此-例如，它能够将浪涌电压箝位到足够低的水平，以使SoC能够存活，同时仍然足够快地做出反应，并在其使用寿命期间承受许多ESD事件。其他重要因素包括PCB布局，电线的欧姆电阻和任何电容/电感寄生元件。
为了实现良好的系统级鲁棒性，选择正确的ESD保护对于在ESD冲击或其他浪涌事件期间在系统IC I/O引脚上实现最小的残余电压至关重要。低电容规格和RF兼容的路由概念将最大限度地减少对信号完整性的影响。SoC的端口引脚越敏感，保护应该越有效。
为了将低电容与极低的ESD脉冲箝位电压相结合，高级器件在ESD触发时提供有源回弹行为。此类器件在正常工作时具有高阻抗，但在触发后切换到低阻抗状态。在ESD事件发生后，它们将再次关闭，以便正常的数据通信可以继续。
动态电阻是保护器件的重要器件参数。低值意味着当器件必须分流较高电流时，箝位电压仅略有增加。
获得正确的特征
通过了解数据表上器件的关键参数，尤其是“极限值”，有助于选择正确的ESD保护器件。其中，隔离电压V断续器表示漏电流低于指定值 I 的最大工作电压范围马币.要了解设备的鲁棒性，还要检查 I断续器这是应用时序为8/20 μs的IEC61000-4-5脉冲时器件可以承受的最大浪涌电流。
ESD和TVS的单向IV特性曲线
而器件的击穿电压V巴西很重要，对于回弹设备，此参数可能会产生误导。其他需要注意的特性包括二极管电容 Cd这与信号线的最大频率有关。保护接口时，V华氯钳位电压也是关键，对于 IEC61000-4-5 脉冲，在不同的峰值电流 I页.最后但并非最不重要的一点是，寻找较低值的动态电阻R戴恩以获得更好的箝位性能，并监控TLP曲线，这些曲线显示了ESD等高速脉冲的箝位能力。
要更深入地了解，请查看我们的ESD产品线信息https://semiware.com/products/tvs-array/，我们深入探讨ESD特性，设计，测试和拓扑的所有方面。
关于semiware
semiware -专业的电路保护解决方案服务商，拥有半导体放电管、tvs二极管、静电抑制器、气体放电管、压敏电阻、pptc、可控硅、锂电保护ic以及二极管全系列产品。公司凭借其在半导体领域的技术和终端产品的应用背景，为电子、汽车和工业市场上的客户提供服务。如果您有技术问题，请按以下方式联系技术支持团队：邮箱：fae01@semiware.com； 电话：86-21-3463-7654； 免费技术支持热线：400-021-5756 ;如需了解更多信息，请访问semiware 官方网站：https://semiware.com。
评论 (0)