SE20F20B3.0MA系列ESD静电抑制器电性参数及数据手册

概述

SE20F20B3.0MA系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用DFN2010P8表面贴装工艺，具有漏电流小，反应速度快（nS级），结电容低（典型值0.25pF），可靠性高等特性，被广泛应用于射频接口，安防监控，网络通讯，汽车电子，白色家电，工业控制等领域的的信号接口或电源口ESD静电及浪涌防护。

特性

• 8/20μs波形时的峰值脉冲功率为90W
• 采用标准表面贴装式DFN2010P8封装
• 出色的浪涌吸收能力
• 漏电流小
• 结电容低（典型值5.0pF）
• 不含卤素且符合RoHS及Reach测试标准

应用领域

• 射频接口的静电防护
• USB 接口的静电防护
• MDDI 接口的静电防护
• DVI 接口的静电防护
• TWS、手机、智能平板电脑等消费类电子的接口静电保护

电性参数表

封装尺寸图

数据手册

供货情况

SE20F20B3.0MA系列TVS二极管阵列产品采用DFN2010P8标准封装，每盘3,000个。如需了解产品详细信息，请访问：https://semiware.com/tvs-array/se20f20b3-0ma/ ； 现提供样品；您可向全球各地的Semiware 的授权经销商索取样品。

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