静电抑制器326
SE23T10B5.0UB系列多路静电抑制器产品参数及其规格书
概述
SE23T10B5.0UB系列多路静电抑制器产品，具有结电容低，漏电流小，反应速度快（nS级），可靠性高等特性，被广泛应用于HDMI，USB，VGA等高速
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Semiware推出SE23T30U5.0MB系列高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出se23t30u5.0mb系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用sod-23表面贴装工艺，产品具有漏电小，反应速度快，可靠性高等特性
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Semiware推出SE10F30U6.3A系列高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出se10f30u6.3a系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用dfn1006表面贴装工艺，产品具有漏电小，反应速度快，可靠性高等特性
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Semiware推出SE06F10B18LA系列高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出se06f10b18la系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用dfn0603表面贴装工艺，产品具有漏电小，反应速度快，可靠性高等特性
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Semiware推出SE3D250B4.5系列大功率高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出se3d250b4.5系列大功率高可靠性静电抑制器产品，产品采用sod-323表面贴装工艺，产品具有漏电小，反应速度快，可靠性高等
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Semiware推出SE16F15B3.3MA系列高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出se16f15b3.3ma系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用dfn1610表面贴装工艺，采用多路组合结构，极间电容低，产品具有漏
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Semiware推出SE3D35U3.3A系列高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出SE3D35U3.3A系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用SOD-323表面贴装工艺，产品具有漏电小，反应速度快，浪涌吸收能力强，30
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Semiware推出SE16F15B18MA系列高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出se16f15b18ma系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用dfn1610表面贴装工艺，采用多路组合结构，极间电容低，产品具有漏电
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Semiware推出SE16F15B8.0MA系列高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出se16f15b8.0ma系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用dfn1610表面贴装工艺，采用多路组合结构，极间电容低，产品具有漏
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Semiware推出SE16F15B5.0MA系列高可靠性静电抑制器
日前，Semiware推出se16f15b5.0ma系列高可靠性静电抑制器产品，产品采用dfn1610表面贴装工艺，采用多路组合结构，极间电容低，产品具有漏
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