Semiware推出SESD08C系列高可靠性静电抑制器
日前,Semiware推出SESD08C系列多路静电抑制器产品,具有结电容低,漏电流小,反应速度快(nS级),可靠性高等特性,被广泛应用于HDMI,USB,VG
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新品快讯 | Semiware推出SD03系列多路静电抑制器产品
日前,Semiware推出SD03系列多路静电抑制器产品,具有结电容低,漏电流小,反应速度快(nS级),可靠性高等特性,被广泛应用于HDMI,USB,VGA等高
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新品快讯 | Semiware推出SD24系列多路静电抑制器产品
日前,Semiware推出SD24系列多路静电抑制器产品,具有结电容低,漏电流小,反应速度快(nS级),可靠性高等特性,被广泛应用于HDMI,USB,VGA等高
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新品快讯 | Semiware推出SD36系列多路静电抑制器产品
日前,Semiware推出SD36系列多路静电抑制器产品,具有结电容低,漏电流小,反应速度快(nS级),可靠性高等特性,被广泛应用于HDMI,USB,VGA等高
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新品快讯 | Semiware推出SD12系列多路静电抑制器产品
日前,Semiware推出SD12系列多路静电抑制器产品,具有结电容低,漏电流小,反应速度快(nS级),可靠性高等特性,被广泛应用于HDMI,USB,VGA等高
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新品快讯 | Semiware推出SD05系列多路静电抑制器产品
日前,Semiware推出SD05系列多路静电抑制器产品,具有结电容低,漏电流小,反应速度快(nS级),可靠性高等特性,被广泛应用于HDMI,USB,VGA等高
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新品快讯 | Semiware推出AO3400沟道低压MOSFET(场效应管)
日前,Semiware推出AO3400沟道低压MOSFET(场效应管),我们持续不断地利用先进的小信号和功率MOSFET解决方案扩充我们的产品组合。我们种类齐全
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1.5KE550A系列TVS瞬态抑制二极管产品参数及其规格书
概述
1.5KE550A系列TVS瞬态抑制二极管产品,采用轴向穿孔型DO-201封装,峰值额定功率达到1500W。产品具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的稳
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P6KE160A系列TVS瞬态抑制二极管产品参数及其规格书
概述
P6KE160A系列TVS瞬态抑制二极管产品,采用轴向穿孔型DO-15封装,峰值额定功率达到600W。产品具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的稳定性。
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1.5KE6.8CA系列TVS瞬态抑制二极管产品参数及其规格书
概述
1.5KE6.8CA系列TVS瞬态抑制二极管产品,采用轴向穿孔型DO-201封装,峰值额定功率达到1500W。产品具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的
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