新品快讯 | Semiware推出AO3400沟道低压MOSFET（场效应管）
日前,Semiware推出AO3400沟道低压MOSFET（场效应管）,我们持续不断地利用先进的小信号和功率MOSFET解决方案扩充我们的产品组合。我们种类齐全
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SMAF30CA系列双向TVS管参数特性及数据手册
概述
SMAF30CA系列TVS瞬态抑制二极管产品,采用标准表面贴装型SMAF封装，峰值额定功率达到400W。产品具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的稳定性
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SMCJ14CA系列TVS瞬态抑制二极管产品参数及其规格书
概述
SMCJ14CA系列TVS瞬态抑制二极管产品,采用标准表面贴装型SMC封装，峰值额定功率达到1500W。产品具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的稳定性
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SMAJ30A系列TVS瞬态抑制二极管产品参数及其规格书
SMAJ30A系列TVS瞬态抑制二极管产品参数及其规格书
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SMAJ45A系列TVS瞬态抑制二极管产品参数及其规格书
SMAJ45A系列TVS瞬态抑制二极管产品,采用标准表面贴装型SMA封装，峰值额定功率达到400W。产品具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的稳定性。专门用于
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SMAJ48A系列TVS瞬态抑制二极管产品参数及其规格书
SMAJ48A系列TVS瞬态抑制二极管产品,采用标准表面贴装型SMA封装，峰值额定功率达到400W。产品具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的稳定性。专门用于
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SMAJ51A系列TVS瞬态抑制二极管产品参数及其规格书
SMAJ51A系列TVS瞬态抑制二极管产品,采用标准表面贴装型SMA封装，峰值额定功率达到400W。产品具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的稳定性。专门用于
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SMAJ54A系列TVS瞬态抑制二极管产品参数及其规格书
SMAJ54A系列TVS瞬态抑制二极管产品,采用标准表面贴装型SMA封装，峰值额定功率达到400W。产品具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的稳定性。专门用于
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P4KE36CA系列TVS瞬态抑制二极管产品参数及其规格书
概述
P4KE36CA系列TVS瞬态抑制二极管产品,采用轴向穿孔型DO-41封装，峰值额定功率达到400W。产品具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的稳定性。
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P6SMB24CA系列TVS瞬态抑制二极管产品参数及其规格书
概述
P6SMB24CA系列TVS瞬态抑制二极管产品,采用标准表面贴装型SMB封装，峰值额定功率达到600W。产品具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的稳定性
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