SNM005N04FH系列N沟道MOSFET参数特性及数据手册
SNM005N04FH通常用于开关电源、电机驱动、电流调节等功率管理应用。MOSFET是现代电子设备中常见的开关元件，特别是在高效能、高频率的电路中。
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SNM20N65C系列N沟道增强型功率场效应晶体管参数特性及数据手册
概述
SNM20N65C 是一款功率MOSFET，具有650V的耐压，采用N沟道结构。它常用于开关电源、电机控制、以及高效能电力转换应用。其低导通电阻（
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SMF5.0A 贴片单向TVS二极管电性参数及数据手册
概述
SMF5.0A 是一款贴片型单向 TVS (瞬态电压抑制) 二极管，广泛用于过电压保护，尤其是在高频电子设备、电路板、通信设备以及其他需要对浪涌或
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P2600SC 半导体放电管（防雷管）电性参数及数据手册
概述
P2600SC系列半导体放电管产品，采用SMB标准封装，具有极间电容小，漏电流小，浪涌吸收能力强，稳定性强等产品特性。产品广泛应用于网络通讯、安防
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TPSVF40U85单向系列汽车用TVS二极管产品电性参数及数据手册
概述
TPSVF40U85系列是一款专为汽车应用设计的瞬态电压抑制二极管（TVS）。它主要用于保护汽车电子设备免受高能瞬态电压，如静电放电（ESD）和雷
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SOD-323标准封装静电抑制器SE3D35B36MA电性参数及规格书
概述
SE3D35B36MA系列静电抑制器是一种用于保护电子设备免受静电放电（ESD）损害的器件。静电放电是一种常见的电气现象，当静电积累到一定程度并突
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赛米微尔推出超小型DFN0603封装ESD二极管（静电抑制器）
赛米微尔推出超微小DFN0603封装ESD二极管，外形尺寸仅为0.6*0.3*0.3毫米,较业界常用DFN1006及SOD-923封装的同类产品节省约66%的电
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SBD0130V06 表面贴装肖特基二极管 电性参数及规格书
概述
SBD0130V06系列肖特基二极管是一种高效、低功耗的半导体器件，具有低正向压降和快速响应能力，适用于多种高频、高效率应用。
特性
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SMCJ24A 贴片单向TVS管 瞬态抑制二极管 电性参数及数据手册
概述
SMCJ24A系列是一种单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，专为保护电子设备中的敏感元件免受瞬态电压尖峰（如静电放电（ESD）、雷击和感性负载开关等
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