数据手册 6
SE10F10B5.0A单路和多路ESD静电抑制器产品关键参数及其应用
产品概述
SE10F10B5.0A系列静电抑制器产品，采用DFN1006-2L标准封装,具有漏电流小，反应速度快（nS级），可靠性高等特性，被广泛应用于
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SE10F03B5.0LA系列ESD多路静电抑制器产品参数及其规格书
产品概述
SE10F03B5.0LA系列静电抑制器产品，采用DFN1006-2L封装,具有漏电流小，反应速度快（nS级），可靠性高等特性，被广泛应用于H
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SE3D15B5.0MA系列ESD静电抑制器产品参数及其规格书
产品概述
SE3D15B5.0MA系列静电抑制器产品，采用SOD-323标准封装,具有漏电流小，反应速度快（nS级），可靠性高等特性，被广泛应用于HDM
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BTA16-800CW系列双向可控硅产品参数及其规格书
概述
BTA16-800CW系列双向可控硅采用标准TO-220A封装，该系列产品有助于为交流电源控制应用简化热管理并提高浪涌处理能力，包括加热器控制、电机转速控
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SNMD5N50系列N沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
The SNMD5N50 is N-Channel enhancement mode power field effect transistors w
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SPMD90P02系列P沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
The SPMD90P02 is P-Channel enhancement mode power field effect transistors
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