Mosfet15
SNM005N04FH系列N沟道MOSFET参数特性及数据手册
SNM005N04FH通常用于开关电源、电机驱动、电流调节等功率管理应用。MOSFET是现代电子设备中常见的开关元件，特别是在高效能、高频率的电路中。
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SNM20N65C系列N沟道增强型功率场效应晶体管参数特性及数据手册
概述
SNM20N65C 是一款功率MOSFET，具有650V的耐压，采用N沟道结构。它常用于开关电源、电机控制、以及高效能电力转换应用。其低导通电阻（
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SPM8P10N04系列N+P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书
产品概述
SPM8P10N04系列N+P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用SOP-8标准微小型封装，使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds(O
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SNMD5N50系列N沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
The SNMD5N50 is N-Channel enhancement mode power field effect transistors w
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SNMD5N50系列N沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
The SNMD5N50 is N-Channel enhancement mode power field effect transistors w
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SPMD90P02系列P沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
The SPMD90P02 is P-Channel enhancement mode power field effect transistors
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10D560K系列MOV产品参数及其规格书
概述
10D560K系列MOV产品低电压、高浪涌电流、径向引线式压敏电阻能为低压直流电压应用场合提供一种理想的电路解决方案，在这些小小的晶片中，提供比以前更高的
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SPM3015PE系列P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书
产品概述
SPM3015PE系列P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用SOP-8标准微小型封装，使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds(ON)。
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SPM23T5N06系列P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书
产品概述
SPM23T5N06系列P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用SOT-23-3L标准微小型封装，使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds
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2N7002KE系列N沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
2N7002KE系列N沟道Mosfet产品，采用优化的制程工艺，超低的RDS(on)，增强了应用的效率，满足了负载点（PoL）、VRM、主板、笔记本电
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