产品概述

SPM23T3N03系列N沟道MOSFET,采用标准SOT23-3L封装,产品导通电阻低,特别适用于网络通讯、安防监控、笔记本电脑、手机、TWS蓝牙耳机、智能照明、工业电源等领域的应用,能够在小型表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

主要技术特点

低压大电流能力:

  • -30V的漏源电压 (VDSS)
  • -4.3的连续漏极电流 (ID)
  • 这使得它成为12V和24V系统(如汽车电子、工业控制电源)的理想选择,能够处理非常高的电流负载。

极低的导通电阻 (RDS(on)):

  • 优势:极低的导通电阻意味着在导通状态下的功率损耗(I²R)极小,从而显著提高系统效率,减少发热量,允许在更小的空间内通过更大的电流。

逻辑电平驱动与易驱动性:

  • 具有低栅极阈值电压 (VGS(th)),通常在1.0V至2.5V之间。
  • 优势:可以直接由3.3V或5V的微控制器(MCU)、DSP或FPGA的GPIO口驱动,无需额外的电平转换或复杂的预驱动电路,极大地简化了电路设计,降低了整体成本。

快速的开关性能:

  • 拥有较低的总栅极电荷 (Qg)和电容,支持较高的开关频率(从几十kHz到几百kHz)。
  • 优势:减少了开关损耗,适用于PWM调速、DC-DC转换和同步整流等高频应用,能够实现更高的功率密度和更快的动态响应。

坚固的SOT23-3L封装:

  • 采用表面贴装(SMD)的SOT23-3L封装,自带散热片(Heating Tab)。
  • 优势:封装结构紧凑,节省PCB空间,同时其散热片可以通过焊接在PCB的铜箔上,利用大面积铜箔进行高效散热,实现了体积与散热性能的优异平衡。

产品参数图

SPM23T3N03系列N沟道MOSFET产品关键参数及其应用特性-赛米微尔-Semiware-博客

典型应用领域

凭借其高电流、低内阻和易驱动的特点,该系列MOSFET广泛应用于以下领域:

  • 汽车电子:车身控制系统(如电动门窗、座椅调节、雨刷电机驱动)、水泵/风扇控制、LED驱动、负载开关。
  • 工业控制与自动化:直流电机驱动、步进电机驱动、电磁阀/继电器驱动、机器人关节驱动、大电流电源开关。
  • 电源管理:同步整流:在低压大电流输出的开关电源(如服务器电源、通信设备电源、显卡VRM)中作为二次侧的整流器件,是提高效率的关键元件。
  • 消费电子与电动工具:大功率无人机电调(ESC)、电动工具(电钻、角磨机)、大功率LED照明驱动。

设计使用要点

  • 栅极驱动保护:尽管易于驱动,但其栅极非常脆弱(VGS max = ±20V)。必须使用栅极串联电阻来抑制振铃,并建议使用栅源稳压管进行钳位保护,防止静电或电压过冲导致损坏。
  • 至关重要的散热设计:虽然损耗低,但大电流应用下仍会产生可观热量。必须为其设计足够面积的PCB散热铜箔,这是保证其稳定输出额定电流、防止因过热而失效的关键。
  • PCB布局优化:为了抑制高速开关带来的寄生振荡和电压尖峰,应尽量缩短功率回路和驱动回路的路径,并在芯片的漏极和源极引脚附近放置高频去耦电容。

产品数据手册

更多信息

SPM23T3N03系列N沟道MOSFET产品,采用标准SOT23-3L封装,每盘3,000个。了解更多产品详情,请访问https://semiware.com/small-signal-mosfets/spm23t3n03/现提供样品,您可向全球各地的Semiware 的授权经销商索取样品。

关于Semiware

Semiware公司是一家电路保护解决方案的综合服务商,公司凭借其在半导体领域的技术和终端产品的应用背景,为电子、汽车和工业市场上的客户提供服务。我们拥有丰富的电路保护器件产品组合以满足客户需求,包括过压保护、过流保护、复合保护、分立器件以及先进的封装技术。