SNM2803S系列N沟道MOSFET产品关键参数及其应用特性

概述

SNM2803S系列N沟道MOSFET,采用标准SOT-23封装,产品导通电阻低，特别适用于网络通讯、安防监控、笔记本电脑、手机、TWS蓝牙耳机、智能照明、工业电源等领域的应用，能够在小型表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

关键特性

• 输出类型： 集电极开路输出。这意味着输出端就像一个开关，只能接通到地（低电平）。要驱动负载，必须外接负载电源和负载本身（负载接在输出和正电源之间）。
• 内置续流二极管： 每个输出通道都有一个二极管，用于在切断电流时，为感性负载产生的反向电动势提供泄放回路，保护芯片和其他电路元件。使用时必须将公共阴极（COM引脚）连接到负载的电源正极（Vcc），否则二极管无效。
• 高驱动能力： 每通道可承受高达500mA的连续电流和50V的电压。
• TTL/CMOS 兼容输入： 输入引脚可以直接由5V或3.3V（多数型号）的微控制器（如Arduino, STM32, 树莓派等）GPIO口直接驱动。
• 简化设计： 将8个驱动电路集成在一个芯片中，极大节省了PCB空间，简化了电路设计。

典型应用

• 驱动继电器模块
• 驱动步进电机（作为UNL2003/2803驱动板的核心芯片）
• 驱动直流电机
• 驱动LED显示阵列（如数码管）
• 驱动灯带、灯泡等照明设备
• 逻辑缓冲器

产品参数图

产品数据手册

更多信息

SNM2803S系列N沟道MOSFET产品，采用SOD-523标准封装，每盘3,000个。产品导通电阻低，特别适用于网络通讯、安防监控、笔记本电脑、手机、TWS蓝牙耳机、智能照明、工业电源等领域的应用，能够在小型表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

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