产品概述
SPM8P10N04系列N+P沟道增强型MOS场效应晶体管,采用SOP-8标准微小型封装,使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds(ON)。该装置适用于DC-DC转换,电源开关和充电电路

特性
High Density Cell Design For Low RDS(On)
Voltage Controlled Small Signal Switch
Rugged and Reliable
High Saturation Current Capability
ESD Protected

应用
Direct logic-level interface: TTL/CMOS
Drivers: relays, solenoids, lamps
hammers,display, memories, etc.
Battery operated systems
Solid-state relays

产品参数图
SPM8P10N04系列N+P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书-赛米微尔-技术支持社区

封装尺寸图
SPM8P10N04系列N+P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书-赛米微尔-技术支持社区

推荐焊盘图
SPM8P10N04系列N+P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书-赛米微尔-技术支持社区

供货情况
SPM8P10N04系列N+P沟道增强型MOS场效应晶体管产品采用SOP-8标准封装,每盘4,000个。 现提供样品,您可向全球各地的Semiware 的授权经销商索取样品。如需了解Semiware 授权代理经销商名单,可访问查询https://semiware.com
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