Mosfet 12
3D打印机面临的浪涌与静电风险
3D 打印机同时存在电网传导浪涌、电机脉冲干扰、摩擦静电三大瞬态高压威胁，主控板、步进驱动、热敏、USB / 触摸屏是重灾区，轻则打印异常、重则硬件永久烧毁。
...
SPM8P10N04系列N+P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书
产品概述
SPM8P10N04系列N+P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用SOP-8标准微小型封装，使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds(O
...
SNMD5N50系列N沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
The SNMD5N50 is N-Channel enhancement mode power field effect transistors w
...
SPMD90P02系列P沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
The SPMD90P02 is P-Channel enhancement mode power field effect transistors
...
SPM3015PE系列P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书
产品概述
SPM3015PE系列P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用SOP-8标准微小型封装，使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds(ON)。
...
SPM23T5N06系列P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书
产品概述
SPM23T5N06系列P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用SOT-23-3L标准微小型封装，使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds
...
2N7002KE系列N沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
2N7002KE系列N沟道Mosfet产品，采用优化的制程工艺，超低的RDS(on)，增强了应用的效率，满足了负载点（PoL）、VRM、主板、笔记本电
...
SPM3053PE系列P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书
产品概述
SPM3053PE系列P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用SOP-8标准微小型封装，使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds(ON)。
...
SPM3015PE系列P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书
产品概述
SPM3015PE系列P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用SOP-8标准微小型封装，使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds(ON)。
...
SPMD90P02系列P沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
The SPMD90P02 is P-Channel enhancement mode power field effect transistors
...
