Mosfet 12
SPM8P10N04系列N+P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书
产品概述
SPM8P10N04系列N+P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用SOP-8标准微小型封装，使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds(O
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SNMD5N50系列N沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
The SNMD5N50 is N-Channel enhancement mode power field effect transistors w
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SNMD5N50系列N沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
The SNMD5N50 is N-Channel enhancement mode power field effect transistors w
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SPMD90P02系列P沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
The SPMD90P02 is P-Channel enhancement mode power field effect transistors
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SPM3015PE系列P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书
产品概述
SPM3015PE系列P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用SOP-8标准微小型封装，使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds(ON)。
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SPM23T5N06系列P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书
产品概述
SPM23T5N06系列P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用SOT-23-3L标准微小型封装，使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds
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2N7002KE系列N沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
2N7002KE系列N沟道Mosfet产品，采用优化的制程工艺，超低的RDS(on)，增强了应用的效率，满足了负载点（PoL）、VRM、主板、笔记本电
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SPM3053PE系列P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书
产品概述
SPM3053PE系列P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用SOP-8标准微小型封装，使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds(ON)。
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SPM3015PE系列P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书
产品概述
SPM3015PE系列P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用SOP-8标准微小型封装，使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds(ON)。
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SPMD90P02系列P沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
The SPMD90P02 is P-Channel enhancement mode power field effect transistors
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