产品概述
SPM23T5N06系列P沟道增强型MOS场效应晶体管,采用SOT-23-3L标准微小型封装,使用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优异Rds(ON)。该装置适用于DC-DC转换,电源开关和充电电路。
产品特性
High Density Cell Design For Low RDS(On)
Voltsge Controlled Small Signal Switch
Rugged and Reliable
High Saturation Current Capability
ESD Protected
产品应用
Direct logic-level interface: TTL/CMOS
Drivers: relays, solenoids, lamps
hammers,display, memories, etc.
Battery operated systems
Solid-state relays 

产品参数图
SPM23T5N06系列P沟道增强型MOS场效应晶体管参数及其规格书-赛米微尔-技术支持社区

封装尺寸图
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推荐焊盘图
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产品数据手册
SPM23T5N06
供货情况
SPM23T5N06系列P沟道增强型MOS场效应晶体管产品采用SOT-23-3L标准封装,每盘3,000个。 现提供样品,您可向全球各地的Semiware 的授权经销商索取样品。如需了解Semiware 授权代理经销商名单,可访问查询https://semiware.com
更多信息
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关于Semiware
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