概述

SNM20N65C 是一款功率MOSFET,具有650V的耐压,采用N沟道结构。它常用于开关电源、电机控制、以及高效能电力转换应用。其低导通电阻(Rds(on))和优异的开关特性,使其适用于要求高效率的场合。

SNM20N65C系列主要参数

  • 额定电压,最大值:650V,这使其适用于高压电力转换和电源管理应用。
  • 导通电阻,最大值:约 1.3 Ω,导通电阻较低,这意味着它具有较低的功率损耗和较高的效率。
  • 漏电流,最大值:20A(最大连续漏电流),这提供了较高的电流承载能力,适合需要大电流的应用。
  • 栅极阈值电压,最小值:2V,这是开关阈值电压,在此电压下 MOSFET 会开始导通。
  • 输入电容,典型值:约 650pF,输入电容影响开关速度和驱动功率,较低的输入电容通常有助于提高开关频率。
  • 开关速度,该MOSFET 具有较好的开关特性,适合高频开关应用。尤其是在高效率的开关电源和直流变换器中,开关性能非常重要。
  • 工作温度范围,最大工作温度:150°C,适合在恶劣环境中使用,具备较高的热稳定性。
  • 封装类型:常见的封装类型为 TO-220 或 TO-262,这些封装能够提供良好的散热性能,适合功率器件应用。

特性优势

  • 高耐压:能够处理较高电压的应用,适合高压电源、电机驱动等场景。
  • 低导通损耗:低的Rds(on)确保了更少的功率损耗,适用于要求高效率的设计。
  • 优秀的开关特性:能够提供快速的开关响应,适合高频应用。

应用场景

  • 开关电源:如AC-DC、DC-DC转换器、逆变器等。
  • 电动工具和电机控制:高效能电机驱动。
  • 功率转换设备:如UPS、光伏逆变器等。

产品参数表

SNM20N65C系列N沟道增强型功率场效应晶体管参数特性及数据手册-赛米微尔-技术支持社区

产品尺寸图

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数据手册

供货情况

SNM20N65C系列N沟道增强型功率场效应晶体管产品采用TO-220C标准封装,如需了解产品详情,请访问:https://semiware.com/product-power-mosfet/snm20n65c/ ; 现提供样品,您可向全球各地的semiware 的授权经销商索取样品。

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