小信号Mosfet

SNM120N06GActive

SNM120N06G系列N沟道MOSFET,采用标准PDFN5x6-8L封装,产品导通电阻低，特别适用于无人机电调、通讯电源、工业电源等领域的应用，能够在小型表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

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电性参数

Part Number SNM120N06G

Package PDFN5x6-8L

AEC-Q101 QualifiedNo

Channel Type N

With ESD No

VDS [Max] (V) 60

VGS [Max] (V) ±20

ID [Max] (A) 120

RDS(ON)@10V
[Typ] (mΩ) 0.0049

RDS(ON)@10V
[Max] (mΩ) 0.0063

RDS(ON)@4.5V
[Typ] (mΩ) -

RDS(ON)@4.5V
[Max] (mΩ) -

RDS(ON)@2.5V
[Typ] (mΩ) -

RDS(ON)@2.5V
[Max] (mΩ) -

PD [Max] (W) 52

TJ (°C) -55 to +150

Status Active

产品特性

High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipation