小信号Mosfet

SNM30N10VActive

SNM30N10V系列N沟道MOSFET,采用标准SOT-223封装,产品导通电阻低，特别适用于网络通讯、安防监控、笔记本电脑、手机、TWS蓝牙耳机、智能照明、工业电源等领域的应用，能够在小型表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

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电性参数

Part Number SNM30N10V

Package SOT-223

AEC-Q101 QualifiedNo

Channel Type N

With ESD No

VDS [Max] (V) 100

VGS [Max] (V) ±20

ID [Max] (A) 31

RDS(ON)@10V
[Typ] (mΩ) 16

RDS(ON)@10V
[Max] (mΩ) 18

RDS(ON)@4.5V
[Typ] (mΩ) 23

RDS(ON)@4.5V
[Max] (mΩ) 25

RDS(ON)@2.5V
[Typ] (mΩ) -

RDS(ON)@2.5V
[Max] (mΩ) -

PD [Max] (W) 10.4

TJ (°C) -55～+150

Status Active

产品特性

Surface-mounted package Advanced trench cell desig Half ‒ bridge Drivers