小信号Mosfet

SNM3730D3Active

SNM3730D3系列N沟道MOSFET,采用标准DFN1006-3L封装,产品导通电阻低，特别适用于网络通讯、安防监控、笔记本电脑、手机、TWS蓝牙耳机、智能照明、工业电源等领域的应用，能够在小型表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

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电性参数

Part Number SNM3730D3

Package DFN1006-3L

AEC-Q101 QualifiedNo

Channel Type N

With ESD No

VDS [Max] (V) 30

VGS [Max] (V) ±8

ID [Max] (A) 0.91

RDS(ON)@10V
[Typ] (mΩ) -

RDS(ON)@10V
[Max] (mΩ) -

RDS(ON)@4.5V
[Typ] (mΩ) -

RDS(ON)@4.5V
[Max] (mΩ) 460

RDS(ON)@2.5V
[Typ] (mΩ) -

RDS(ON)@2.5V
[Max] (mΩ) 560

PD [Max] (W) 0.69

TJ (°C) -55～+150

Status Active

产品特性

Low VGS(th), can be driven directly from a battery Low RDS(on) ESD Protected Gate 2kV