小信号Mosfet

SNNM3400DActive

SNNM3400D系列N沟道MOSFET,采用标准DFN2020-6L封装,产品导通电阻低，特别适用于网络通讯、安防监控、笔记本电脑、手机、TWS蓝牙耳机、智能照明、工业电源等领域的应用，能够在小型表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册 定购产品

电性参数

Part Number SNNM3400D

Package DFN2020-6L

AEC-Q101 QualifiedNo

Channel Type N

With ESD No

VDS [Max] (V) 30

VGS [Max] (V) ±12

ID [Max] (A) 5

RDS(ON)@10V
[Typ] (mΩ) 29

RDS(ON)@10V
[Max] (mΩ) 32

RDS(ON)@4.5V
[Typ] (mΩ) 32

RDS(ON)@4.5V
[Max] (mΩ) 38

RDS(ON)@2.5V
[Typ] (mΩ) 40

RDS(ON)@2.5V
[Max] (mΩ) 45

PD [Max] (W) 1.4

TJ (°C) -55～+150

Status Active

产品特性

Trench FET Structure High Dense Cell Design for Extremely Low RDS (ON)