SNMD5N50系列N沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
The SNMD5N50 is N-Channel enhancement mode power field effect transistors w
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SPMD90P02系列P沟道Mosfet产品参数及其规格书
产品概述
The SPMD90P02 is P-Channel enhancement mode power field effect transistors
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P6KE12A系列TVS瞬态抑制二极管产品参数及其规格书
概述
P6KE12A系列TVS瞬态抑制二极管产品,采用轴向穿孔型DO-15封装，峰值额定功率达到600W。产品具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的稳定性。专
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P6KE27A系列TVS瞬态抑制二极管产品参数及其规格书
概述
P6KE27A系列TVS瞬态抑制二极管产品,采用轴向穿孔型DO-15封装，峰值额定功率达到600W。产品具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的稳定性。专
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SS120F系列肖特基二极管产品参数及其规格书
概述
SS120F系列肖特基二极管，产品采用SOD-123FL标准小体积封装，稳定性强，可靠性高，漏电流小。采用具备压力保护和低正向电压降，采用超小薄型表贴封装
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SAE0603B15系列静电抑制器产品参数及其规格书
概述
SAE0603B15系列静电抑制器产品，采用先进的Polymer工艺，电容极低、 外形小巧，有助于保护敏感电子设备，防止静电放电（ESD）危害。 是集成电
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SAE0603B15系列静电抑制器产品参数及其规格书
概述
SAE0603B15系列静电抑制器产品，采用先进的Polymer工艺，电容极低、 外形小巧，有助于保护敏感电子设备，防止静电放电（ESD）危害。 是集成电
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SE9D10U5.0UA系列多路静电抑制器产品参数及其规格书
概述
SE9D10U5.0UA系列多路静电抑制器产品，漏电流小，反应速度快（nS级），可靠性高等特性，被广泛应用于HDMI，USB，VGA等高速信号传输接口ES
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SE5D10B3.3A系列多路静电抑制器产品参数及其规格书
概述
SE5D10B3.3A系列多路静电抑制器产品，具有结电容低（16.5pF以内），漏电流小，反应速度快（nS级），可靠性高等特性，被广泛应用于HDMI，US
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SS86C系列肖特基二极管参数及其规格书
概述
SS86C系列肖特基二极管，产品采用SMC标准小体积封装，稳定性强，可靠性高，漏电流小。采用具备压力保护和低正向电压降，采用超小薄型表贴封装。非常适合反向
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