SMCJ22A-TVS瞬态抑制二极管-SMCJ22A规格书-SMCJ22A参数表
产品概述
SMCJ22A
通用TVS二极管
SMCJ22A系列TVS瞬态抑制二极管产品,具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能
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SMCJ26A-TVS瞬态抑制二极管-SMCJ26A规格书-SMCJ26A参数表
产品概述
SMCJ26A
通用TVS二极管
SMCJ26A系列TVS瞬态抑制二极管产品,具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能
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SMCJ28A-TVS瞬态抑制二极管-SMCJ28A规格书-SMCJ28A参数表
产品概述
SMCJ28A
通用TVS二极管
SMCJ28A系列TVS瞬态抑制二极管产品,具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能
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SMCJ30A-TVS瞬态抑制二极管-SMCJ30A规格书-SMCJ30A参数表
产品概述
SMCJ30A
通用TVS二极管
SMCJ30A系列TVS瞬态抑制二极管产品,具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能
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SMCJ33A-TVS瞬态抑制二极管-SMCJ33A规格书-SMCJ33A参数表
产品概述
SMCJ33A
通用TVS二极管
SMCJ33A系列TVS瞬态抑制二极管产品,具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能
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SNM005N04FH系列N沟道MOSFET参数特性及数据手册
SNM005N04FH通常用于开关电源、电机驱动、电流调节等功率管理应用。MOSFET是现代电子设备中常见的开关元件，特别是在高效能、高频率的电路中。
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SNM20N65C系列N沟道增强型功率场效应晶体管参数特性及数据手册
概述
SNM20N65C 是一款功率MOSFET，具有650V的耐压，采用N沟道结构。它常用于开关电源、电机控制、以及高效能电力转换应用。其低导通电阻（
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P2600SC 半导体放电管（防雷管）电性参数及数据手册
概述
P2600SC系列半导体放电管产品，采用SMB标准封装，具有极间电容小，漏电流小，浪涌吸收能力强，稳定性强等产品特性。产品广泛应用于网络通讯、安防
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TPSVF40U85单向系列汽车用TVS二极管产品电性参数及数据手册
概述
TPSVF40U85系列是一款专为汽车应用设计的瞬态电压抑制二极管（TVS）。它主要用于保护汽车电子设备免受高能瞬态电压，如静电放电（ESD）和雷
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