日前,Semiware推出AO3400沟道低压MOSFET(场效应管),我们持续不断地利用先进的小信号和功率MOSFET解决方案扩充我们的产品组合。我们种类齐全的产品组合提供当今市场所需的灵活性,让您可以轻松选择最适合您系统的产品。我们市场领先的技术确保提供最高的可靠性和性能,而先进的封装则可以增强电阻和热性能,同时缩小尺寸,降低成本。

典型参数

封装:SOT-23-3L(大23)
最大漏源电流:5.8A
漏源击穿电压:30V
导通电阻RDS(ON):0.033Ω
工作结温:-55℃~150℃


特性

>低电容。

>出色的开关特性
>扩展安全操作区域
>无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)
>BVDSS=30V,Id=5.8A
>RDS(开):0.033mΩ (最大值)@VG=10V

应用

>Direct logic-level interface: TTL/CMOS
>Drivers: relays, solenoids, lamps
>hammers,display, memories, etc.
>Battery operated systems
>Solid-state relays 

供货情况
AO3400沟道低压MOSFET(场效应管)采用SOT-23-3L(大23)标准封装,每盘3,000个。现提供样品;您可向全球各地的Semiware的授权经销商索取样品。如需了解Semiware 授权销商名单:https://semiware.com/egent.html

产品参数表
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封装尺寸图
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推荐焊盘图
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产品详细信息
https://semiware.com/uploads/datasheet/SNM3400.pdf
更多信息
可通过以下方式查看更多全部产品线信息:https://semiware.com/product/ ,如果您有技术问题,请联系我们的技术支持工程师:fae01@semiware.com
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